![GaAs-basierte Phasenmodulatoren bei 780 nm Wellenlänge – eine Alternative zu kristallbasierten Modulatoren | Ferdinand-Braun-Institut GaAs-basierte Phasenmodulatoren bei 780 nm Wellenlänge – eine Alternative zu kristallbasierten Modulatoren | Ferdinand-Braun-Institut](https://www.fbh-berlin.de/fileadmin/_processed_/1/b/csm_Fig.2_Fabry_Perot_9242f5b8dd.jpg)
GaAs-basierte Phasenmodulatoren bei 780 nm Wellenlänge – eine Alternative zu kristallbasierten Modulatoren | Ferdinand-Braun-Institut
Verfahren zur Erzeugung von InGaAsP und InGaAs-Doppelheterostrukturlasern und -LED's mittels Flussigphasenepitaxie für einen Wellenlängenbereich von alpha = 1,2 um bis 1,7 um - Patent 0164093
![Die Erfindung effizienter blauer InGaN‐Leuchtdioden: eine Hintergrundgeschichte (Nobel‐Aufsatz) - Nakamura - 2015 - Angewandte Chemie - Wiley Online Library Die Erfindung effizienter blauer InGaN‐Leuchtdioden: eine Hintergrundgeschichte (Nobel‐Aufsatz) - Nakamura - 2015 - Angewandte Chemie - Wiley Online Library](https://onlinelibrary.wiley.com/cms/asset/c2e8bafe-ab17-4b2f-a3a8-64591c51e309/mfig001.jpg)