GaAs-basierte Phasenmodulatoren bei 780 nm Wellenlänge – eine Alternative zu kristallbasierten Modulatoren | Ferdinand-Braun-Institut
Verfahren zur Erzeugung von InGaAsP und InGaAs-Doppelheterostrukturlasern und -LED's mittels Flussigphasenepitaxie für einen Wellenlängenbereich von alpha = 1,2 um bis 1,7 um - Patent 0164093
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Die Erfindung effizienter blauer InGaN‐Leuchtdioden: eine Hintergrundgeschichte (Nobel‐Aufsatz) - Nakamura - 2015 - Angewandte Chemie - Wiley Online Library
Abscheidung von Neodym:Phosphatglas mittels Pulsed Laser Deposition zur Fertigung integrierter Wellenleiterlaser
Laserdioden-gepumpter Nd:YAG-Laser und Frequenzverdopplung
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Laserdioden
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